ಅತ್ಯಲ್ಪ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯಲ್ಲಿ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಗಾಜನ್ನಾಗಿಸುವ ಸ್ವಯಂ-ಆಘಾತಗಳು

06 ನವೆಂಬರ್ 2024

ಸಹಭಾಗಿತ್ವದ ಸಂಶೋಧನೆಯಲ್ಲಿ ಮಹತ್ವದ ಆವಿಷ್ಕಾರ ನಡೆಸಿರುವ ತಜ್ಞರು, ಇಂಡಿಯಂ ಸೆಲೆನೈಡ್ ಎಂಬ ವಸ್ತುವು ಅತ್ಯಲ್ಪ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸ್ವಯಂ ಆಘಾತಕ್ಕೆ ಒಳಪಟ್ಟು ತನ್ನ ಸ್ಫಟಿಕದ (ಹರಳು) ಅವಸ್ಥೆಯಿಂದ ಗಾಜಿನ ಅವಸ್ಥೆಗೆ ಪರಿವರ್ತನೆಯಾಗಬಲ್ಲದು ಎಂಬುದನ್ನು ದೃಢಪಡಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಈ ಕುರಿತ ಅಧ್ಯಯನ ವರದಿಯು ‘ನೇಚರ್’ ನಿಯತಕಾಲಿಕದಲ್ಲಿ ಇಂದು ಪ್ರಕಟವಾಗಿದೆ. ಈ ಪರಿವರ್ತನೆಯು ಸಿ.ಡಿ.ಗಳು ಹಾಗೂ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ರಾಮ್ ಗಳ (RAM) ಸ್ಮರಣ ದಾಖಲು ಸಾಧನಗಳ ಪ್ರಧಾನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ. ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಗಾಜಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಲು ಬಳಸುವ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ‘ಮೆಲ್ಟ್-ಕ್ವೆಂಚ್’ (ಕರಗಿಸು-ತಣಿಸು) ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಿಂತ ಇದಕ್ಕೆ ಶತಕೋಟಿ ಪಟ್ಟುಗಳಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಕಾಗುತ್ತದೆ.

ಭಾರತೀಯ ವಿಜ್ಞಾನ ಸಂಸ್ಥೆ (ಐ.ಐ.ಎಸ್.ಸಿ), ಯೂನಿವರ್ಸಿಟಿ ಆಫ್ ಪೆನ್ಸಿಲ್ವೇನಿಯಾ ಸ್ಕೂಲ್ ಆಫ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಅಂಡ್ ಅಪ್ಲೈಡ್ ಸೈನ್ಸ್ (ಪೆನ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್) ಮತ್ತು ಮೆಸ್ಸಾಚುಸೆಟ್ಸ್ ಇನ್ ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಟ್ ಆಫ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ (ಎಂಐಟಿ) ತಂಡದ ಸಂಶೋಧಕರು ಈ ಅಧ್ಯಯನದಲ್ಲಿ ಭಾಗಿಯಾಗಿದ್ದರು.

ಗಾಜು, ಘನ ವಸ್ತುಗಳಂತೆಯೇ ವರ್ತಿಸುತ್ತದೆ. ಆದರೆ, ಘನ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿರುವಂತೆ ಅಣುಗಳ ಕ್ರಮಬದ್ಧ ಜೋಡಣೆ ಇದರಲ್ಲಿ ಇರುವುದಿಲ್ಲ. ಗಾಜು ತಯಾರಿಕೆ ವೇಳೆ ಸ್ಫಟಿಕವೊಂದನ್ನು ಮೊದಲಿಗೆ ದ್ರವೀಕರಿಸಿ, ನಂತರದಲ್ಲಿ ಅದು ತುಂಬಾ ಸುಂಸಬದ್ಧ ರಚನೆ ಹೊಂದುವುದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ದಿಢೀರ್ ತಣಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿ.ಡಿ.ಗಳು, ಡಿ.ವಿ.ಡಿ.ಗಳು ಹಾಗೂ ಬ್ಲೂ ರೇ ಡಿಸ್ಕ್ ಗಳಲ್ಲಿ ಕೂಡ ಇದೇ ‘ಮೆಲ್ಟ್-ಕ್ವೆಂಚ್’ (ಕರಗಿಸು-ತಣಿಸು) ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಂದರೆ, ದತ್ತಾಂಶ ದಾಖಲೀಕರಣ ಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸುವ ಸಲುವಾಗಿ, ಸ್ಫಟಿಕ ವಸ್ತುವನ್ನು ಅತ್ಯಂತ ಕ್ಷಿಪ್ರವಾಗಿ ಬಿಸಿಯಾಗಿಸಿ, ನಂತರ ಅದನ್ನು ತಣಿಸಿ ಗಾಜಿನ ಅವಸ್ಥೆಗೆ ತರಲು ಲೇಸರ್ ತಾಡನಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ; ಇದೇ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಹಿಮ್ಮುಖಗೊಳಿಸಿದರೆ ದಾಖಲೆಯನ್ನು ಅಳಿಸಿ ಹಾಕಬಹುದು. ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ‘ಫೇಸ್ ಚೇಂಜ್ ರಾಮ್’ (phase-change RAM) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುವ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದರಲ್ಲಿ ಮಾಹಿತಿಯು ಪ್ರತಿರೋಧದ ವಿಧವನ್ನು ಆಧರಿಸಿ, ಅಂದರೆ, ಗಾಜು ಹಾಗೂ ಸ್ಫಟಿಕಾವಸ್ಥೆಗಳು ಉಂಟುಮಾಡುವ ‘ಹೈ ವರ್ಸಸ್ ಲೋ’ (ಅಧಿಕ ವರ್ಸಸ್ ಅತ್ಯಲ್ಪ) ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಆಧರಿಸಿ ದಾಖಲಾಗುತ್ತದೆ.

ಆದರೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ತೊಡಕಿನ ವಿಷಯವೇನೆಂದರೆ, ಈ ಸಾಧನಗಳ ವಿದ್ಯುತ್ ದಾಹ ವಿಪರೀತವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಅದರಲ್ಲೂ, ದತ್ತಾಂಶ ದಾಖಲೀಕರಣದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ವೇಳೆ ಇದು ತುಂಬಾ ಅಧಿಕವಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು 800 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣತೆಗೆ ಬಿಸಿಯಾಗಿಸಿ, ನಂತರ ದಿಢೀರ್ ತಂಪುಗೊಳಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಒಂದೊಮ್ಮೆ, ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಮಧ್ಯದ ದ್ರವಾವಸ್ಥೆಯ ಗೋಜಿ್ಲ್ಲದೆ ನೇರವಾಗಿ ಗಾಜನ್ನಾಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುವುದಾದರೆ ಸ್ಮರಣ ದಾಖಲಾತಿಗೆ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಗಣನೀಯವಾಗಿ ಕಡಿಮೆಗೊಳಿಸಬಹುದು.

ತಜ್ಞರು ಅಧ್ಯಯನದಿಂದ ಕಂಡುಕೊಂಡ ಅಂಶಗಳು ಹೀಗಿವೆ: ಇಂಡಿಯಮ್ ಸೆಲೆನೈಡ್ ನಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾದ ತೆಳುವಾದ (2 ಡಿ ಫೆರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು) ತಂತಿಗಳ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಸಿದಾಗ ಅದರ ಉದ್ದನೆಯ ಭಾಗಗಳು ತಕ್ಷಣವೇ ಅಸ್ಫಟಿಕೀಯ ಗಾಜಾಗಿ

ಅವಸ್ಥಾಂತರಗೊಂಡವು. “ಇದು ಅತ್ಯಂತ ಅಸ್ವಾಭಾವಿಕ” ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ ಪೆನ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ನ ಪಿಎಚ್.ಡಿ. ಹಳೆಯ ವಿದ್ಯಾರ್ಥಿ ಹಾಗೂ ಈ ಅಧ್ಯಯನದ ಮೊದಲ ಲೇಖಕರಾದ ಗೌರವ್ ಮೋದಿ ಅವರು. “ನಾನು ನಿಜವಾಗಿಯೂ ವಸ್ತುವನ್ನು ಹಾನಿಗೊಳಿಸಿಬಿಟ್ಟೆನೇನೋ ಎಂದು ಭಾವಿಸಿದ್ದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಯಾವುದೇ ಬಗೆಯ ಅಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣವನ್ನು ಪ್ರೇರೇಪಿಸಬೇಕೆಂದರೆ ವಿದ್ಯುತ್ ತಾಡನಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ. ಆದರೆ ಇಲ್ಲಿ, ವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ನಿರಂತರ ಹರಿವು ಮಾತ್ರವೇ ನಿರೀಕ್ಷೆಗೆ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತವಾಗಿ ಸ್ಫಟಿಕ ಸ್ವರೂಪವನ್ನು ಪಲ್ಲಟಗೊಳಿಸಿದ್ದುದು ಕಂಡುಬಂದಿತು” ಎಂದೂ ಅವರು ವಿವರಿಸುತ್ತಾರೆ.

ಮೋದಿ ಮತ್ತು ಪೆನ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ನಲ್ಲಿ ಮಟೀರಿಯಲ್ ಸೈನ್ಸ್ ಅಂಡ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ (ಎಂಎಸ್ಇ)ನಲ್ಲಿ ಶ್ರೀನಿವಾಸ ರಾಮಾನುಜಂ ಡಿಸ್ಟಿಂಗ್ವಿಷ್ಡ್ ಸ್ಕಾಲರ್ ಆಗಿರುವ ರಿತೇಶ್ ಅಗರ್ ವಾಲ್ ಅವರು ಐಐಸಿಸಿ ನ್ಯಾನೊ ಸೈನ್ಸ್ ಅಂಡ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ (CeNSE) ಸಹಾಯಕ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾಗಿರುವ ಪವನ್ ನುಕಲ ಮತ್ತು ಅವರ ಪಿಎಚ್.ಡಿ. ವಿದ್ಯಾರ್ಥಿ ಶುಭಂ ಪರಾಟೆ ಅವರೊಂದಿಗೆ ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಕೂಲಂಕಷವಾಗಿ ಅವಲೋಕಿಸುವಲ್ಲಿ ನಿರತರಾದರು; ಅಂದರೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕ ಬಳಸಿ ಅಣು ಮಾತ್ರದಷ್ಟೇ ಉದ್ದದಿಂದ ಹಿಡಿದು ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಅಳತೆಯವರೆಗೆ ಅಧ್ಯಯನ ನಡೆಸಿದರು.

“ಕಳೆದ ಕೆಲವು ವರ್ಷಗಳಲ್ಲಿ ನಾವು ಐ.ಐ.ಎಸ್.ಸಿ.ಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾನಿಕ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ ಸಾಧನಗಳ ಸಂಗ್ರಹವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದ್ದೇವೆ” ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ ನುಕಲಾ. “ರಿತೇಶ್ ಅವರು ಈ ಅಸ್ವಾಭಾವಿಕ ಅವಲೋಕನದ ಬಗ್ಗೆ ನನ್ನ ಬಳಿ ತಿಳಿಸಿದಾಗ, ನಾವು ಈ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು ಇದು ಸೂಕ್ತ ಸಮಯ” ಎಂದು ನಿರ್ಧರಿಸಿದೆವು ಎಂದೂ ಅವರು ಮುಂದುವರಿಸುತ್ತಾರೆ.

ವಸ್ತುವಿನ 2ಡಿ ಪದರಗಳಿಗೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ನಿರಂತರ ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯುವಂತೆ ಮಾಡಿದಾಗ ಆ ಪದರಗಳು ವಿಭಿನ್ನ ದಿಕ್ಕುಗಳಲ್ಲಿ ಪರಸ್ಪರ ಜಾರುತ್ತವೆ. ಇದರಿಂದಾಗಿ ಹಲವಾರು ಡೊಮೇನ್ ಗಳು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಅಂದರೆ, ಇವು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಡೈಪೋಲ್ ಮೊಮೆಂಟ್ (ವಿದ್ಯುದಾವಿಷ್ಟಗಳ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆ) ಇರುವ ಪುಟಾಣಿ ನೆಲೆಗಳಾಗಿ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಇಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವ ವ್ಯತ್ಯಯ ವಲಯಗಳು ಈ ಡೊಮೇನ್ ಗಳನ್ನು ಪರಸ್ಪರ ಪ್ರತ್ಯೇಕಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ. ಇಂತಹ ಬಹಳಷ್ಟು ವ್ಯತ್ಯಯಗಳು ನ್ಯಾನೊ ಪ್ರಮಾಣದಷ್ಟೇ ಅಳತೆಯ ಪುಟ್ಟ ವಲಯದಲ್ಲಿ ಛೇದಿಸಿದಾಗ, ಅಂದರೆ, ಗೋಡೆಯೊಂದರಲ್ಲಿ ಬಹಳಷ್ಟು ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಪಂಚ್ ಮಾಡಿದಂತೆ ಆದಾಗ, ಸ್ಫಟಿಕದ ರಾಚನಿಕ ಸಮಗ್ರತೆಯು ಭಂಗಗೊಂಡು ಆ ವಲಯವು ಗಾಜಾಗಿ ಪರಿವರ್ತನೆಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ಈ ಡೊಮೇನ್ ಗಡಿ ರೇಖೆಗಳು ಭೂಮೇಲ್ಮೈ ಪದರದ ಫಲಕಗಳಿದ್ದ ಹಾಗೆ. ಅವು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಚಲಿಸುತ್ತವೆ ಹಾಗೂ ಪರಸ್ಪರ ತಾಡನಗೊಂಡಾಗ ಭೂಕಂಪಕದ ವೇಳೆ ಉಂಟಾಗುವಂತೆಯೇ ಮೆಕ್ಯಾನಿಕಲ್ (ಹಾಗೂ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್) ಆಘಾತಗಳು ಸೃಷ್ಟಿಯಾಗುತ್ತವೆ. ಈ ಭೂಕಂಪವು ‘ಹಿಮೋತ್ಪಾತ ಪರಿಣಾಮ’ವನ್ನು, ಅಂದರೆ, ಭೂಕಂಪದ ಕೇಂದ್ರದಿಂದ ತುಂಬಾ ದೂರದಲ್ಲಿ ಅಡಚಣೆಗಳನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇದು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯಲ್ಲಿ ಡೊಮೇನ್ ಗಡಿ ರೇಖೆಗಳನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸಿ ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಗಾಜಿನ ವಲಯಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ವಿದ್ಯಮಾನವು ಭೂಕಂಪವನ್ನು ಇನ್ನಷ್ಟು ಅಧಿಕಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ವಸ್ತುವು ಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಗಾಜಾಗಿ ಪರಿವರ್ತನೆಗೊಂಡ ಮೇಲಷ್ಟೇ (ದೀರ್ಘವ್ಯಾಪಿ ಅಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ) ಈ ದೀರ್ಘ ಸರಣಿ ಪರಿಣಾಮವು ಕೊನೆಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

“ಈ ಎಲ್ಲಾ ಅಂಶಗಳು ಸೇರಿ ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಏರ್ಪಡುವುದನ್ನು ವಿವಿಧ ಅಳತೆಗಳ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕದ ನೆರವಿನಿಂದ ನೋಡಲು ತೀವ್ರ ರೋಮಾಂಚನವಾಗುತ್ತದೆ” ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ ಮೊದಲ ಲೇಖಕರಲ್ಲಿ ಒಬ್ಬರಾದ ಪರಾಟೆ.

ಇಂಡಿಯಮ್ ಸೆಲೆನೈಡ್ ನ ಬಹು ವಿಶಿಷ್ಟ ಗುಣಸ್ವಭಾವಗಳು, ಅಂದರೆ ಅದರ 2ಡಿ ಸಂರಚನೆ, ಫೆರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಸಿಟಿ ಹಾಗೂ ಪೀಸೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಸಿಟಿ ಇವೆಲ್ಲವೂ ಒಟ್ಟಾಗಿ ಆಘಾತಗಳ ಅಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣಕ್ಕೆ ಈ ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದ ಶಕ್ತಿ ವಿಧಾನಕ್ಕೆ ಅನುಮತಿಸುತ್ತವೆ. “ಸಿಎಂಒಎಸ್ ಪ್ಲ್ಯಾಟ್ ಫಾರ್ಮ್ ಗಳ ಮೇಲೆ ಈ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜನೆಗೊಳಿಸಲು ನಾವು ಇದನ್ನು ಇನ್ನೂ ಉನ್ನತ ಹಂತಕ್ಕೆ ಕೊಂಡೊಯ್ಯುತ್ತೇವೆ” ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ ಅವರು.

“ಫೇಸ್-ಚೇಂಚ್ ಸ್ಮರಣ (ಪಿಸಿಎಂ) ಸಾಧನಗಳ ವ್ಯಾಪಕ ಬಳಕೆ ಗುರಿ ಸಾಧ್ಯವಾಗದಿರಲು ಅದಕ್ಕೆ ಅಗಾಧ ಪ್ರಮಾಣದ ವಿದ್ಯುತ್ ಅಗತ್ಯವಿರುವುದು ಕಾರಣವಾಗಿದೆ” ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ ಅಗರ್ ವಾಲ್. “ಈಗಿನ ಸಂಶೋಧನಾ ಪ್ರಗತಿಯು ಸೆಲ್ ಫೋನ್ ಗಳಿಂದ ಹಿಡಿದು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಗಳವರೆಗೆ ವಿವಿಧ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ದತ್ತಾಂಶ ಸಂಗ್ರಹಣೆಯನ್ನು ಪರಿವರ್ತಿಸಬಲ್ಲ ವಿಶಾಲ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಪಿಸಿಎಂ ಆನ್ವಯಿಕತೆಗಳ ಹೆಬ್ಬಾಗಿಲು ತೆರೆಯಬಹುದು” ಎಂಬ ವಿಶ್ವಾಸವನ್ನೂ ಅವರು ವ್ಯಕ್ತಪಡಿಸುತ್ತಾರೆ.

ಉಲ್ಲೇಖ:

ಮೋದಿ ಜಿ, ಪರಾಟೆ ಎಸ್.ಕೆ., ಕ್ವಾನ್ ಸಿ, ಮೆಂಗ್ ಎಸಿ, ಖಂಡೇಲ್ವಾಲ್ ಯು, ಟ್ಯುಲ್ಲಿಬುಲ್ಲಿ ಎ, ಹೋರ್ವಥ್ ಜೆ, ಡೇವೀಸ್ ಪಿಕೆ, ಸ್ಯಾಚ್ ಇಎ, ಲಿ ಜೆ, ನುಕಲ ಪಿ, ಅಗರ್ವಾಲ್ ಆರ್, Electrically-driven long-range solid-state amorphization in ferroic In2Se3, Nature (2024).

https://www.nature.com/articles/s41586-024-08156-8

ಸಂಪರ್ಕ:

ಪವನ್ ನುಕಲ
ಸಹಾಯಕ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರು
ನ್ಯಾನೊ ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಕೇಂದ್ರ (CeNSE)
ಭಾರತೀಯ ವಿಜ್ಞಾನ ಸಂಸ್ಥೆ (ಐಐಎಸ್ ಸಿ) ಇಮೇಲ್: pnukala@iisc.ac.in
ಫೋನ್: +91(0) 80 2293 3034 ವೆಬ್ ಸೈಟ್: http://www.cense.iisc.ac.in/pnukala/

ರಿತೇಶ್ ಅಗರ್ ವಾಲ್
ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರು ಹಾಗೂ ಶ್ರೀನಿವಾಸ ರಾಮಾನುಜಂ ಡಿಸ್ಟಿಂಗ್ವಿಷ್ಡ್ ಸ್ಕಾಲರ್
ಮಟೀರಿಯಲ್ಸ್ ಸೈನ್ಸ್ ಅಂಡ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್
ಪೆನ್ಸಿಲ್ವೇನಿಯಾ ಯೂನಿವರ್ಸಿಟಿ ಇಮೇಲ್: riteshag@seas.upenn.edu
ಫೋನ್: (215) 573-3037 ವೆಬ್ ಸೈಟ್: https://agarwal.seas.upenn.edu/

ಪರ್ತಕರ್ತರ ಗಮನಕ್ಕೆ:

ಅ) ಈ ಪತ್ರಿಕಾ ಪ್ರಕಟಣೆಯನ್ನು ಅಥವಾ ಇದರ ಯಾವುದೇ ಭಾಗವನ್ನು ಯಥಾವತ್ತಾಗಿ ಸುದ್ದಿಯಾಗಿ ಪ್ರಕಟಿಸಿದರೆ ದಯವಿಟ್ಟು ಐ.ಐ.ಎಸ್.ಸಿ. ಹೆಸರಿನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಕಟಿಸಿ.
ಆ) ಐ.ಐ.ಎಸ್.ಸಿ. ಪತ್ರಿಕಾ ಪ್ರಕಟಣೆಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಏನಾದರೂ ಪ್ರಶ್ನೆಗಳಿದ್ದರೆ ದಯವಿಟ್ಟು news@iisc.ac.in ಅಥವಾ pro@iisc.ac.in ಗೆ ಬರೆಯಿರಿ.